Epitaxial Products
Power Component
| Product | Withstand voltage | Conduction resistance | Threshold voltage | Model | Package form | Pictures |
| CE65E300DNYI | 650V | 300mΩ | 2.5V | 增強(qiáng)型 單管 | DFN 5*6 |
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| CE65E160DNHI | 650V | 160mΩ | 2.5V | 增強(qiáng)型 單管 | DFN 8*8 |
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| CE65E160DNYI | 650V | 160mΩ | 2.5V | 增強(qiáng)型 單管 | DFN 5*6 |
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| CE65H110TOAI | 650V | 110mΩ | 3.9V | 耗盡型 級(jí)聯(lián) | TO220 |
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| CE65H110DNDI | 650V | 110mΩ | 3.9V | 耗盡型 級(jí)聯(lián) | DFN8*8 |
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| CE65H160TOAIF | 650V | 160mΩ | 3.9V | 耗盡型 級(jí)聯(lián) | TO220F |
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| CE65H160DNGI | 650V | 160mΩ | 1.7V | 耗盡型 級(jí)聯(lián) | DFN 8*8 |
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| CE65H270TOBI | 650V | 270mΩ | 3.9V | 耗盡型 級(jí)聯(lián) | TO252 |
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| CE65H270TOEI | 650V | 270mΩ | 3.9V | 耗盡型 級(jí)聯(lián) | TO252 |
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| CE65H270DNGI | 650V | 270mΩ | 1.7V | 耗盡型 級(jí)聯(lián) | DFN 8*8 |
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| CE65H270TOAIF | 650V | 270mΩ | 3.9V | 耗盡型 級(jí)聯(lián) | TO220F |
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| CE65H600TOEI | 650V | 600mΩ | 3.9V | 耗盡型 級(jí)聯(lián) | TO252 |
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| CE65H600TOAIF | 650V | 600mΩ | 3.9V | 耗盡型 級(jí)聯(lián) | TO220F |
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| CE65H900TOEI | 650V | 900mΩ | 3.9V | 耗盡型 級(jí)聯(lián) | TO252 |
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| CE65H160DNCI | 650V | 160mΩ | 3.9V | 耗盡型 級(jí)聯(lián) | DFN5*6 |
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| CE65H270DNCI | 650V | 270mΩ | 3.9V | 耗盡型 級(jí)聯(lián) | DFN5*6 |
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| CE65H600DNCI | 650V | 600mΩ | 3.9V | 耗盡型 級(jí)聯(lián) | DFN5*6 |
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| CE65H900DNCI | 650V | 900mΩ | 3.9V | 耗盡型 級(jí)聯(lián) | DFN5*6 |
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| CE65H080TOCI | 650V | 80mΩ | 3.9V | 耗盡型 級(jí)聯(lián) | TO247-3 |
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Foundry Process Platform
Product Category
Processing Procedure
01 photoetching（50mm-200mm）
02 Metal sputtering（Ti、Al、TiN、Cu）
Metal evaporation（Ti、Al、Ni、Pt、Mo、Ta、Ag、Co、Cr,etc.）
03 Dry etching（GaN、Si、SiC、SiO2、Si3N4、AL、TiN、Ni、Cr、Pt, etc.）
04 Wet etching and cleaning
05 Thin film PECVD deposited SiO2, Si3N4, ALD deposited Al2O3, AlN and Si3N4, etc
06 Ion implantation N, BF2, Ar
07 TSV process
08 Grinding, scribing
09 Wafer, device testing
10 Laser slotting
11 Pan cleaning
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